2019 Q2 Hynix tuottaa toisen sukupolven 10nm: n prosessimuistin

  SK hynix paljasti äskettäin, että yhtiö kasvattaa ensimmäisen sukupolven 10 nanometrin valmistusprosessia (eli 1 x nm) DRAM-tuotantoa ja aloittaa toisen sukupolven 10 nanometrin valmistustekniikan (tunnetaan myös nimellä 1Y nm) myynti vuoden 2001 jälkipuoliskolla. vuosi. Muisti. 10nm: n teknologiaan siirtymisen nopeuttaminen antaa yritykselle mahdollisuuden lisätä DRAM-lähtöä, mikä alentaa kustannuksia ja valmistautuu seuraavan sukupolven muistiin.

Ensimmäiset SK Hynix 1Y nm -tuotantoteknologian avulla valmistetut tuotteet ovat sen 8 Gb: n DDR4-3200-muistisiru. Valmistaja kertoo, että se voi vähentää 8 Gb: n DDR4-laitteiden sirukokoa 20% ja vähentää sen tehonkulutusta 15% verrattuna vastaaviin laitteisiin, jotka on valmistettu käyttämällä 1X nm: n valmistustekniikkaa. Lisäksi SK hynixin tulevassa 8 Gt: n DDR4-3200-sirussa on kaksi tärkeää parannusta: 4-vaiheinen kellotusjärjestelmä ja Sense-vahvistinohjaustekniikka.

Vaikka nämä tekniikat ovat tärkeitä myös tänä vuonna DDR4: lle, SK hynix käyttää 1Y nm: n valmistusprosessiaan DDR5: n, LPDDR5: n ja GDDR6 DRAMin valmistukseen. Siksi Hynixin on kehitettävä toisen sukupolven 10 nanometrin valmistusteknologiaa mahdollisimman pian, jotta valmistaudutaan tulevaisuuteen.